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然而，电力到了2000年代，情况开始发生变化。交易交易结果该图的右下角表示存储单元阵列（子阵列）的基本结构。
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2009年至2011年，河南恢复DRAM的技术节点（最小加工尺寸）为56nm至44nm，而NAND闪存（平面型）约为其一半，为32nm至21nm。电力解释DRAM基本架构的图。
从上方预测逻辑、交易交易结果DRAM和NAND闪存的寿命和尺寸。
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